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IRF252	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on) •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF252	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF252	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF252	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF252	文件：48.25 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeed DESCRIPTION •DrainCurrentID=25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.12Ω(Max) •NanosecondSwitchingSpeed APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP252	文件：518.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMosfets	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP252	文件：493.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel(HexfetTransistors)	IRF International Rectifier	IRF
IRFP252	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP252	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS252	文件：265.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
ICS252PMILF
功能描述：
IC CLK SYNTHESIZER FP DUAL 8SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器
系列：
VersaClock™
标准包装：
1,000
系列：
Precision Edge®
类型：
时钟/频率合成器
PLL：
无
输入：
CML，PECL
输出：
CML
电路数：
1 比率 -
2：
1 差分 -
输出：
是/是频率 -
最大：
10.7GHz
除法器/乘法器：
无/无
电源电压：
2.375 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘，16-MLF?
供应商设备封装：
16-MLF?（3x3）
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SY58052UMGTRSY58052UMGTR-ND

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