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IQTCQO-251KU	文件：49.01 Kbytes Page：2 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillators Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
IQTCQO-251KX	文件：49.01 Kbytes Page：2 Pages	TemperatureCompensatedCrystalOscillators Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
IQTCXO-251	文件：49.01 Kbytes Page：2 Pages	Temperaturecompensatedcrystaloscillators Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
IRF251	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on) •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF251	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF251	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF251	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF251	文件：48.42 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP251	文件：518.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMosfets	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP251	文件：493.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel(HexfetTransistors)	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
ICS251PMLF
功能描述：
IC CLK SYNTHESIZER FP SGL 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器
系列：
VersaClock™
标准包装：
2,000
系列：
-
类型：
PLL 时钟发生器
PLL：
带旁路
输入：
LVCMOS，LVPECL
输出：
LVCMOS
电路数：
1 比率 -
2：
11 差分 -
输出：
是/无频率 -
最大：
240MHz
除法器/乘法器：
是/无
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
32-LQFP
供应商设备封装：
32-TQFP（7x7）
包装：
带卷(TR)

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