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ICX422	文件：161.53 Kbytes Page：16 Pages	Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX422ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX082AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteris	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
ICX422AL	文件：161.53 Kbytes Page：16 Pages	Diagonal11mm(Type2/3)CCDImageSensorforEIAB/WVideoCameras Description TheICX422ALisaninterlineCCDsolid-stateimagesensorsuitableforEIAB/Wvideocameraswithadiagonal11mm(Type2/3)system.ComparedwiththecurrentproductICX082AL,basiccharacteristicssuchassensitivityandsmearareimproveddrasticallyandhighsaturationcharacteris	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IFN422	文件：72.21 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ●VeryHighInputImpedanceDifferentialAmplifiers ●Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IL422	文件：213.36 Kbytes Page：12 Pages	IsolatedRS422/RS485Interface Features •3.3VInputSupplyCompatible •25nsMaximumPropagationDelay •25MbpsDataRate •1nsPulseSkew(typ.) •±60mADriverOutputCapability •ThermalShutdownProtection •MeetsorExceedsANSI422-B,EIA485-Aand ITURecommendedV11 •LowEMCFootprint •−40°Cto+85°C	NVE NVE Corporation	NVE
IL422E	文件：213.36 Kbytes Page：12 Pages	IsolatedRS422/RS485Interface Features •3.3VInputSupplyCompatible •25nsMaximumPropagationDelay •25MbpsDataRate •1nsPulseSkew(typ.) •±60mADriverOutputCapability •ThermalShutdownProtection •MeetsorExceedsANSI422-B,EIA485-Aand ITURecommendedV11 •LowEMCFootprint •−40°Cto+85°C	NVE NVE Corporation	NVE
IRF422	文件：211.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF422	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF422	文件：69.48 Kbytes Page：7 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforappli	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF422	文件：48.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF422	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
ICS-422-EGT
制造商：
Samtec Inc
功能描述：
CONN DIP SCKT SKT 22 POS 2.54MM SLDR ST TH - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ICS-422-EGT供应商更新时间2025-5-23 10:11:00

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