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ICM7207IJD	文件：391.69 Kbytes Page：5 Pages	CMOSTimebassGenerator GENERALDESCRIPTION TheICM7207/Aconsistofahighstabilityoscillatorandfrequencydividerproviding4controloutputssuitableforfrequencycountertimebase.Specifically,whenusedasafrequencycountertimebaseinconjunctionwiththeICM7208frequencycounter,thefouroutputsprovidet	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ICM7207IPD	文件：4.75439 Mbytes Page：162 Pages	TIMERSCOUNTERSANDDISPLAYDRIVERS	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ICM7207IPD	文件：391.69 Kbytes Page：5 Pages	CMOSTimebassGenerator GENERALDESCRIPTION TheICM7207/Aconsistofahighstabilityoscillatorandfrequencydividerproviding4controloutputssuitableforfrequencycountertimebase.Specifically,whenusedasafrequencycountertimebaseinconjunctionwiththeICM7208frequencycounter,thefouroutputsprovidet	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ICM7207KIT	文件：391.69 Kbytes Page：5 Pages	CMOSTimebassGenerator GENERALDESCRIPTION TheICM7207/Aconsistofahighstabilityoscillatorandfrequencydividerproviding4controloutputssuitableforfrequencycountertimebase.Specifically,whenusedasafrequencycountertimebaseinconjunctionwiththeICM7208frequencycounter,thefouroutputsprovidet	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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IDT7207	文件：148.09 Kbytes Page：12 Pages	CMOSASYNCHRONOUSFIFO32,768x9 DESCRIPTION: TheIDT7203/7204/7205/7206/7207/7208aredual-portmemorybufferswithinternalpointersthatloadandemptydataonafirst-in/first-outbasis.ThedeviceusesFullandEmptyflagstopreventdataoverflowandunderflowandexpansionlogictoallowforunlimitedexpansioncapability	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT7207	文件：112.04 Kbytes Page：14 Pages	CMOSASYNCHRONOUSFIFO	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT7207	文件：143.79 Kbytes Page：14 Pages	CMOSASYNCHRONOUSFIFO	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT7207	文件：213.84 Kbytes Page：14 Pages	First-In/First-OutDual-Portmemory	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IRF7207	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation5Technology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF

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