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INA232	文件：1.31734 Mbytes Page：32 Pages	INA23248-V,16-Bit,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features •High-sideorlow-sidecurrentsensing •Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply •Reportscurrent,voltageandpower •Programmablefullscalerange:20mV/80mV •Inputcommonmoderange:–0.3Vto48V •Currentmonitoringaccuracy: –16-bitADCresolution –0.3gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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INA232AIDDFR	文件：1.62161 Mbytes Page：39 Pages	INA23248-V,16-Bit,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features •High-sideorlow-sidecurrentsensing •Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply •Reportscurrent,voltageandpower •Programmablefullscalerange:20mV/80mV •Inputcommonmoderange:–0.3Vto48V •Currentmonitoringaccuracy: –16-bitADCresolution –0.3gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA232BIDDFR	文件：1.62161 Mbytes Page：39 Pages	INA23248-V,16-Bit,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features •High-sideorlow-sidecurrentsensing •Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply •Reportscurrent,voltageandpower •Programmablefullscalerange:20mV/80mV •Inputcommonmoderange:–0.3Vto48V •Currentmonitoringaccuracy: –16-bitADCresolution –0.3gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IQS232	文件：1.49846 Mbytes Page：34 Pages	Configurable2ChannelsensorwithCompensationforSensitivityReducingObjects	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF232	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF232	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF232	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF232	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
ICL232CBEZT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 驱动器，接收器，收发器
包装：
管件
类型：
收发器
协议：
RS232
驱动器/接收器数：
2/2
双工：
完全版
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

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