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IAUMN04S7N005G	文件：3.35939 Mbytes Page：12 Pages	丝印：7N04N005；Package：PG-HSOG-4-1；OptiMOSTM 7 Power-Transistor Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel-Enhancementmode-NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL2upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avala	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IAUAN04S7N005	文件：3.13912 Mbytes Page：12 Pages	AutomotiveMOSFETOptiMOSTM7Power-Transistor Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel-Enhancementmode-NormalLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL2aupto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100Avalanche	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IAUS300N08S5N014	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 PG-HSOG-8	INFINEON/英飞凌相关企业：深圳市钜韬电子有限公司	INFINEON/英飞凌
IAUT150N10S5N035ATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON HSOF-8	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司相关企业：深圳市壹芯创科技有限公司	Infineon

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