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I630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	丝印：I630；Package：TO-251；9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso 文件：1.35377 Mbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
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I630	文件：53.8 Kbytes Page：3 Pages	5 mm x 7 mm Ceramic Package SMD VCXO, LVCMOS / LVPECL / LVDS 文件：53.8 Kbytes 页数：3 Pages	ILSI	ILSI
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上海金庆电子技术有限公司	I64-423403	THOMASBETTS/ANSLEY	新		85	全新原装货期两周	询价
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更多I630供应商更新时间2025-9-21 14:00:00

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