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I630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	丝印：I630；Package：TO-251；9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 2 Features ● Fast Switching ● Low ON Resistance(Rdso 文件：1.35377 Mbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
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I630	文件：53.8 Kbytes Page：3 Pages	5 mm x 7 mm Ceramic Package SMD VCXO, LVCMOS / LVPECL / LVDS 文件：53.8 Kbytes 页数：3 Pages	ILSI	ILSI
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	I630	IR	22+	2018+	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	I630	IR	23+	2018+	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	I630	IR	23+	2018+	7000		询价
三奇股份有限公司	I630-63BC3H1-98.304MHz	ABRACON	25+		9000	只做原装优势货源渠道	询价

更多I630供应商更新时间2026-1-17 14:00:00

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