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I11NM80中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

I11NM80
厂商型号

I11NM80

功能描述

N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh™ Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

文件大小

908.99 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 19:00:00

I11NM80规格书详情

Features

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Best RDS(on)*Qg in the industry

Applications

■ Switching applications

Description

These N-channel Power MOSFETs are

developed using STMicroelectronics'

revolutionary MDmesh™ technology, which

associates the multiple drain process with the

company's PowerMESH™ horizontal layout.

These devices offer extremely low on-resistance,

high dv/dt and excellent avalanche

characteristics. Utilizing ST's proprietary strip

technique, these Power MOSFETs boast an

overall dynamic performance which is superior to

similar products on the market.

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