| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
178 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO 220 |
155409 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
70 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-220 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-220-3 |
1100 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
11000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220AB |
70000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYTO-220 |
70 |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
IRF634采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF634图片
IRF634SPBF价格
IRF634SPBF价格：￥2.1516品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF634SPBF多少钱，想知道IRF634SPBF价格是多少？参考价：￥2.1516。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF634SPBF批发价格及采购报价，IRF634SPBF销售排行榜及行情走势，IRF634SPBF报价。
IRF634资讯
IRF634B 原装现货
制造商:FairchildSemiconductor产品种类:MOSFET晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:250VVgs-栅源极击穿电压:30VId-连续漏极电流:8.1ARdsOn-漏源导通电阻:450mOhms配置:Single最大工作温度:+150CPd-功率耗散:74W封装/箱体:TO-220-3商标:Fairchild
IRF634B 深圳市金柏信电子有限公司 原装正品电子元器首选
IRF634B深圳市金柏信电子有限公司
IRF634中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF634功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF634A制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRF634B制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
IRF634B_FP001功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF634FP制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET
IRF634L功能描述:MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF634N功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF634NL制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRF634NLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF634NPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
