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深圳市金胜达微科技有限公司

2年 留言
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IR2108STRPBF

IRSOP-8

1900

21+

原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

深圳市拓亿芯电子有限公司

10年 留言
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IRSOP-8

22000

23+

原装现货假一罚十

深圳赋能华科电子有限公司

9年 留言
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infineon

7500

2210

专注英飞凌 原装支持第三方机构检测

深圳市英科美电子有限公司

9年 留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8

18317

2021+

原装进口假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)SOP8

22316

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市凌特半导体科技有限公司

2年 留言
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Infineon英飞凌专营SOP8

9000

原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期

深圳市芯祺盛科技有限公司

11年 留言
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INFINEONSOP-8

10600

19+

原装库存有订单来谈优势

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

5年 留言
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Infineon英飞凌SOIC-8

10000

2144

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

8年 留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8

35000

22+

我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信

深圳市中联芯电子有限公司

9年 留言
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IRSOP-8

10922

24+

原装现货假一赔十

深圳市宝隆宏业科技有限公司

7年 留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8

36800

21+

进口原装现货 假一赔十

深圳市赛能新源半导体有限公司

4年 留言
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INFINEONSOP-8

60000

21+

原装正品进口现货

深圳兆威电子有限公司

6年 留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市宝隆宏业科技有限公司

7年 留言
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IRSOP8

8903

2021+

诚信经营..品质保证..价格优势

深圳市赛特兴科技有限公司

3年 留言
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    朱小姐

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    深圳市福田区华强北街道深南中路2064号华能大厦西区2502A室

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INFINEONSOP8

20000

22+

正规渠道,只有原装!

深圳市恒达亿科技有限公司

10年 留言
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    夏先生/朱小姐

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    深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东10楼A2

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INFINEONSOP8

6000

23+

全新原装现货、诚信经营!

深圳市吉中创电子科技有限公司

5年 留言
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INFINEONSOP-8

5000

23+

公司现货原装

深圳市雅芯通科技有限公司

1年

深圳市雅芯通科技有限公司

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INFINEON/英飞凌N/A

5000

24+

只做正品原装现货

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

深圳市航润创能电子集团有限公司

4年 留言
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    19520636341

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    朱小姐

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INFINEON/英飞凌SOP-8

300

19+

进口原装假一赔十支持含税

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IR2108STRPBF价格

IR2108STRPBF价格:¥5.5251品牌:International

生产厂家品牌为International的IR2108STRPBF多少钱,想知道IR2108STRPBF价格是多少?参考价:¥5.5251。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IR2108STRPBF批发价格及采购报价,IR2108STRPBF销售排行榜及行情走势,IR2108STRPBF报价。

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IR2108STRPBF功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IR2108STRPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.9V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    200mA,350mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    150ns,50ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC