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HZM11NB3	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM11NB3	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZS11NB3	文件：57.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PZM11NB3	文件：75.34 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Wideworkingvoltagerange:nom.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多HZM11NB3TR-E供应商更新时间2024-5-8 10:02:00