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HZS11A1	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11A1L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
LWTN-11A1	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-11A1SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
RKZ11A1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
XBR11A1-G	文件：286.97 Kbytes Page：6 Pages	Single-PhaseBridgeRectifier	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX

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