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HYB25D512800CE-6中文资料同步动态随机存取内存(SDRAM)数据手册QIMONDA规格书
| 厂商型号 |
HYB25D512800CE-6 |
| 参数属性 | HYB25D512800CE-6 封装/外壳为66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装为托盘托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
| 功能描述 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
| 封装外壳 | 66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm） |
| 制造商 | QIMONDA Qimonda AG |
| 中文名称 | 奇梦达 奇梦达公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-13 20:00:00 |
| 人工找货 | HYB25D512800CE-6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HYB25D512800CE-6规格书详情
简介
HYB25D512800CE-6属于集成电路（IC）的存储器。由QIMONDA制造生产的HYB25D512800CE-6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
HYB25D512800CE-6
- 制造商：
Qimonda
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）
- 供应商器件封装：
66-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QIMONDA |
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INFINEON |
24+ |
BGA |
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