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HYB18T1G800BF-3S数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF
HYB18T1G800BF-3S规格书详情
简介
HYB18T1G800BF-3S属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的HYB18T1G800BF-3S存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号:
HYB18T1G800BF-3S
- 制造商:
Qimonda
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR2
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:
0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
68-TFBGA
- 描述:
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA
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