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HYB18T1G800BF-3S数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

HYB18T1G800BF-3S

参数属性

HYB18T1G800BF-3S 封装/外壳为68-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

功能描述

同步动态随机存取内存(SDRAM)
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

封装外壳

68-TFBGA

制造商

QIMONDA Qimonda AG

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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HYB18T1G800BF-3S规格书详情

简介

HYB18T1G800BF-3S属于集成电路(IC)的存储器。由制造生产的HYB18T1G800BF-3S存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HYB18T1G800BF-3S

  • 制造商:

    Qimonda

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    68-TFBGA

  • 描述:

    IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 68BGA

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