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HY62CT08081E-I	文件：186.36 Kbytes Page：12 Pages	32Kx8bit CMOS SRAM DESCRIPTION The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode tha 文件：186.36 Kbytes 页数：12 Pages	Hynix 海力士	Hynix
HY62CT08081E	文件：186.36 Kbytes Page：12 Pages	32Kx8bit CMOS SRAM DESCRIPTION The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode tha 文件：186.36 Kbytes 页数：12 Pages	Hynix 海力士	Hynix
HY62CT08081E-C	文件：186.36 Kbytes Page：12 Pages	32Kx8bit CMOS SRAM DESCRIPTION The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode tha 文件：186.36 Kbytes 页数：12 Pages	Hynix 海力士	Hynix
HY62CT08081E-DGC	文件：186.36 Kbytes Page：12 Pages	32Kx8bit CMOS SRAM DESCRIPTION The HY62CT08081E is a high-speed, low power and 32,786 X 8-bits CMOS Static Random Access Memory fabricated using Hynixs high performance CMOS process technology. It is suitable for use in low voltage operation and battery back-up application. This device has a data retention mode tha 文件：186.36 Kbytes 页数：12 Pages	Hynix 海力士	Hynix

详细参数

型号：
HY62CT08081E-I
制造商：
HYNIX
制造商全称：
Hynix Semiconductor
功能描述：
32Kx8bit CMOS SRAM

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更多HY62CT08081E-I供应商更新时间2025-10-13 11:10:00

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