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HY57V561620BLT-6I	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
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HY57V561620BLT-HI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
HY57V561620BLT-KI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
HY57V561620BLT-PI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
HY57V561620BLT-SI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
HY57V561620BT-HI	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
HY57V561620BT-I	文件：165.42 Kbytes Page：12 Pages	4Banksx4Mx16BitSynchronousDRAM DESCRIPTION TheHY57V561620Bisa268,435,456bitCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V561620Bisorganizedas4banksof4,194,304x16. HY57V561620Bisofferingfullysynchronousoperationreferencedtoa	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
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详细参数

型号：
HY57V561620BLT
制造商：
HYNIX
制造商全称：
Hynix Semiconductor
功能描述：
4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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