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HY51V18163HGJ	文件：107.49 Kbytes Page：12 Pages	1M x 16Bit EDO DRAM DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体
HY51V18163HGJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	1M x 16Bit EDO DRAM	SK hynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体
HY51V18163HGJ-5	文件：107.49 Kbytes Page：12 Pages	1M x 16Bit EDO DRAM DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体
HY51V18163HGJ-6	文件：107.49 Kbytes Page：12 Pages	1M x 16Bit EDO DRAM DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体
HY51V18163HGJ-6	文件：300 bytes Page：1 Pages	1M x 16Bit EDO DRAM DESCRIPTION\nThe HY51V(S)18163HG/HGL is the new generation dynamic RAM organized 1,048,576 words x 16bit. HY51V(S)18163HG/HGL has realized higher density, higher performance and various functions by utilizing advanced CMOS process technology. The HY51V(S)18163HG/HGL offers Extended Data Out Page Mod; • Fast access time and cycle time\n• Extended Data Out Mode capability\n• Read-modify-write capability\n• Multi-bit parallel test capability\n• TTL(3.3V) compatible inputs and outputs\n• /RAS only, CAS-before-/RAS, Hidden and self refresh(L-version) capability\n• JEDEC standard pinout\n• 42pin plast;	SK hynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体
HY51V18163HGJ-7	文件：107.49 Kbytes Page：12 Pages	1M x 16Bit EDO DRAM DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体

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