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HWCHAS1310AL	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	Real Walnut Chassis w/ Aluminum Top KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310AL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：盒子，外壳，机架箱描述：CHASSIS ALUM NATURAL 13\	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310AL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：盒子，外壳，机架箱描述：CHASSIS ALUM NATURAL 13\	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWCHAS1310BK	文件：238.98 Kbytes Page：2 Pages	RealWalnutChassisw/AluminumTop KeyFeatures: Heavydutyconstructionwalnutchassis(seecornerdetailphotobelow). Toppanelavailableinachoiceofnaturalaluminumorsatinblackpowderpaintfinish. Walnutchassisis0.778inchesthick(19.8mm)-cornersareproducedwithwoodbracing &dovetailconstructionmethods	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HY1310D	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1310U	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1310V	文件：612.72 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
IIRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1310N	文件：96.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.036ohm,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF1310N	文件：338.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.036Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
HWCHAS1310AL
制造商：
Hammond Manufacturing
类别：
盒子，外壳，机架 > 箱
系列：
HWCHAS
包装：
盒
容器类型：
底座
大小 / 尺寸：
13.000" 长 x 10.000" 宽（330.20mm x 254.00mm）
高度：
3.000"（76.20mm）
面积 (L x W)：
130in²（839cm²）
设计：
开端
材料：
金属，铝；木质
颜色：
天然
厚度：
0.778"（19.76mm）
特性：
独立面板或盖厚度
描述：
CHASSIS ALUM NATURAL 13\

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