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INA220BIDGST	文件：1.1286 Mbytes Page：36 Pages	High-orLow-Side,BidirectionalCurrentandPowerMonitor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IPC-220	文件：926.87 Kbytes Page：2 Pages	CompactIndustrialComputerSystemwith10thGenIntel®Core™iCPUSocket(LGA1200) Features Intel®10thGenCore™iCPUsocket-type(LGA1200)withIntel®Q470E/ H420Echipset 3xindependentdisplays(thirddisplayoutput(DP)viaoptionalcable) 2xGigaLanand6xUSB3.2 2xRS-232/422/485and2xRS232serialports 1xNVMeM.2(Q470EOnly),2x2.5HDD/SSD,a	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPC-220	文件：481.66 Kbytes Page：2 Pages	MachineVisionEdgeSolutionReadyPlatform Features IntuitiveGUIwithoutprogrammingskills Flexiblelicensingoptionsincludingfull,ID,alignment SupportsuptosixGigEvisioncameraswithupto20Mresolutioninmono andbayerformats Supportsconditionaloperator,externalAPIforadvancedapplications	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPC-220	文件：967.82 Kbytes Page：2 Pages	CompactIndustrialComputerSystemwith6th/7thGenIntel®Core™iCPUSocket(LGA1151) Features Intel®6th/7thGenCore™iCPUsocket-type(LGA1151)withIntel®Q170/ H110chipset 3xindependentdisplays(thirddisplayoutput(DP)viaoptionalcable) 2xGigaLanand6xUSB3.0(Q170)/4xUSB3.0(H110) 2xRS-232/422/485and2xRS232serialports 2x2.5HDD/SSD,a	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IRF220	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF220	文件：68.86 Kbytes Page：7 Pages	4.0Aand5.0A,150Vand200V,0.8and1.2Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF220	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF220	文件：154.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF220	文件：135.19 Kbytes Page：3 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF220	文件：48.23 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedApplications DESCRIPTION •DrainCurrentID=5A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.8Ω(Max) •HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市豪迈兴电子有限公司	HW2206	HITACHI	24+	CAN5	5645	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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北京天阳诚业科贸有限公司	HW-22-08-T-S-250-SM	SAMTEC	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
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