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IRFD9110	文件：54.38 Kbytes Page：6 Pages	0.7A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD9110	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-0.70A) HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9110	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9110	文件：1.64972 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9110	文件：825.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •Fastswitching •175°Coperatingtemperature •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9110PBF	文件：1.79065 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=1.2廓,ID=-0.70A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9110PBF	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFE9110	文件：124.1 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
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产品属性

产品编号：
HV9110NG-G
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
输出类型：
晶体管驱动器
功能：
升压/降压
输出配置：
正
拓扑：
反激，正激转换器
输出阶段：
1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
10V ~ 120V
频率 - 开关：
3MHz
占空比（最大）：
0.494
同步整流器：
无
时钟同步：
无
控制特性：
使能，频率控制，复位
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
IC REG CTRLR FLYBACK 14SOIC

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