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IRF841	文件：150.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,8A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedsepeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF841	文件：272.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF841	文件：146.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRF841	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF841	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF841	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF841FI	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF841FI	文件：65.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •RuggedGateOxideTechnology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS841	文件：270.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS841	文件：318.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
HV841MG-G
功能描述：
显示驱动器和控制器 High Voltage Dual EL Lamp
RoHS：
否
制造商：
Panasonic Electronic Components
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-44
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	HV841MG-G	SUPERTEX	0530+	MSOP-8	10	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳庞田科技有限公司	HV841MG-G	Supertex	2023+环保现货	显示驱动器和控制器Hig	2500	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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更多HV841MG-G供应商更新时间2025-5-25 14:07:00

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