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KPC2020	文件：193.38 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KTC2020	文件：399.18 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSEDPAKFORSVRFACEMOUNT) GENERALPURPOSEAPPLICATION. DPAKFORSVRFACEMOUNTAPPLICATIONS. FEATURES •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)atIC=2A,IB=0.2A. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoKTA1040D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2020D	文件：399.18 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSEDPAKFORSVRFACEMOUNT) GENERALPURPOSEAPPLICATION. DPAKFORSVRFACEMOUNTAPPLICATIONS. FEATURES •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)atIC=2A,IB=0.2A. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoKTA1040D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2020D	文件：911.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementarytoKTA1040D. Applications Generalpurposeamplifierforsurfacemountapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC2020D	文件：1.06766 Mbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. DPAKFORSVRFACEMOUNTAPPLICATIONS. FEATURES •LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max.)atIC=2A,IB=0.2A. •ComplementarytoKTA1040D	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
KTC2020D	文件：330.54 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighBreakdownVoltage- :V(BR)CBO=60V(Min) ·HighSwitchingSpeed ·HighReliability ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Ultrahigh-definitionCRTdisplayhorizontaldeflection outputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2020I	文件：851.72 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementarytoKTA1040I. Applications Generalpurposeamplifierforsurfacemountapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC2020L	文件：399.18 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSEDPAKFORSVRFACEMOUNT) GENERALPURPOSEAPPLICATION. DPAKFORSVRFACEMOUNTAPPLICATIONS. FEATURES •LowCollectorSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.)atIC=2A,IB=0.2A. •StraightLead(IPAK,LSuffix) •ComplementarytoKTA1040D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2020L	文件：300.2 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.0V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
L2020	文件：70.32 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDANDCUSTOM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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产品属性

产品编号：
HUM2020D
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
托盘
二极管类型：
PIN - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
2000V
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 100V，1MHz
不同 If、F 时电阻：
200 毫欧 @ 500mA，4MHz
工作温度：
-65°C ~ 175°C
封装/外壳：
接线柱
描述：
SI PPIN HERMETIC STUD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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