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HUF76639S_F085中文资料100 V、51 A、23 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 UltraFET®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HUF76639S_F085

功能描述

100 V、51 A、23 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 UltraFET®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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HUF76639S_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel Logic Level UltraFET® MOSFET 100 V, 51 A, 23 mΩ

特性 Features

超低导通电阻 - rDS(ON)max = 0.026 Ω、VGS = 10 V
仿真模型 - 温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型 - SPICE 和 SABER 热阻抗模型 - www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉宽曲线
UIS额定值曲线
开关时间与 RGS曲线

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications

技术参数

  • 制造商编号

    :HUF76639S_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel Logic Level UltraFET® MOSFET 100V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :180

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :26

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :71

  • Ciss Typ (pF)

    :2400

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

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