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HUF76429D3	文件：200.05 Kbytes Page：10 Pages	20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.023Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.027Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HUF76429D3ST	文件：1.09099 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
HUF76429D3	文件：282.97 Kbytes Page：10 Pages	20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET짰 Power MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
HUF76429D
功能描述：
MOSFET TO-251
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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