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HUF75344A3	文件：430.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 75A, 8m廓 Description •ThisN-channelpowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sinnovativeUItraFETprocess.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergy	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
75344G	文件：314.57 Kbytes Page：10 Pages	75A,55V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
75344G	文件：307.28 Kbytes Page：10 Pages	75A,55V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
75344G	文件：135.67 Kbytes Page：9 Pages	75A,55V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET™process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
75344P	文件：314.57 Kbytes Page：10 Pages	75A,55V,0.008Ohm,N-ChannelUltraFETPowerMOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheinnovativeUltraFET®process.Thisadvancedprocesstechnologyachievesthelowestpossibleon-resistancepersiliconarea,resultinginoutstandingperformance.Thisdeviceiscapableofwithstandinghighenergyintheavalanchemodeandth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LC75344M	文件：529.36 Kbytes Page：11 Pages	2CHANNELVOLUMESYSTEM	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LC75344MD	文件：154.06 Kbytes Page：13 Pages	Two-ChannelElectronicVolumeControlSystem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LC75344MD-AH	文件：154.06 Kbytes Page：13 Pages	Two-ChannelElectronicVolumeControlSystem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
HUF75344A
功能描述：
MOSFET 55V N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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