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Q1127	文件：1.047119 Mbytes Page：11 Pages	Toggleswitch,multiplecircuitry,termination,andcaps	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
RF1127	文件：555.63 Kbytes Page：8 Pages	BROADBANDLOWPOWERSPDTSWITCH	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RLZTE-1127C	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiodes	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZTE-1127D	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SD1127	文件：87.67 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHPFMMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheSD1127isaepitaxialsiliconNPNtransistordesignedprimarilyforVHPmobilecommunications.Thechipofthistransistorismountedonaberylliapilltoisolatethecollectorleadandgroundtheemitterleadforhighgainperformance Features •175MHz •12.5VOLTS •POUT=	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SD1127	文件：72.13 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFFMMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheSD1127isaepitaxialsiliconNPNtransistordesignedprimarilyforVHFmobilecommunications.Thechipofthistransistorismountedonaberylliapilltoisolatethecollectorleadandgroundtheemitterleadforhighgainperformance Features ·175MHz ·12.5VOLTS ·POUT	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
SD1127	文件：105.43 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSVHFCOMMUNICATIONS DESCRIPTION: THESD1127ISA12.5VOLTSILICONNPNPLANARTRANSISTORDESIGNEDFORECONOMICALVHFCOMMUNICATIONS.THETRANSISTORCHIPISMOUNTEDONABERYLLIUMOXIDETABTOISOLATETHECOLLECTORLEADALLOWINGAGROUNDEDEMITTERCONFIGURATIONFORHIGHGAINANDEXCELLENTHEATDISSIPATION. Features	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SD1127	文件：42.87 Kbytes Page：1 Pages	SILICONNPNRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASISD1127isdesignedforVHFmobilcommunicationsapplicationsupto175MHz. FEATURES: •GroundedEmiterTheASISD1127 •Gp12dB@12.5V175MHz •Pout4.0VMin.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
SMT-1127-S-R	文件：256.35 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSAREINMILLIMETERS	PUIAUDIO PUI audio inc.	PUIAUDIO
TMCS1127	文件：2.77533 Mbytes Page：35 Pages	TMCS1127250kHzHall-EffectCurrentSensorWithReinforcedIsolationWorkingVoltageandAmbientFieldRejection 1Features •Highcontinuouscurrentcapability:80ARMS •Robustreinforcedisolation •Highaccuracy –Sensitivityerror:±0.4% –Sensitivitythermaldrift:±40ppm/°C –Sensitivitylifetimedrift:±0.2% –Offseterror:±0.7mV –Offsetthermaldrift:±10μV/°C –Offsetlifetimedri	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
HTT1127ER
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	HTT1127ERTL-E	RENESAS	24+	EMFPAK6	598000	原装现货假一赔十	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	HTT1129EZTL	HITACHI/日立	25+	SOT363	54648	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
深圳市一线半导体有限公司	HTT1129EZTL/Z	RENESAS瑞萨/HITACHI日立	24+	SOT-363SOT-323-6	8050	新进库存/原装	询价
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