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IRFD9020PBF	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9020	文件：238.31 Kbytes Page：8 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS P-CHANNEL -50Volt,0.20OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9020	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9020	文件：321.01 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9020	文件：1.79403 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemountable(orderasIRFR9020, SiHFR9020) •Straightleadoption(orderasIRFU9020, SiHFU9020) •Repetitiveavalancheratings •DynamicdV/dtrating •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseeww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9020	文件：299.83 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-9.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR9020PBF	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9020PBF	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9020PBF	文件：1.79663 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
HT9020
制造商：
HOLTEK
制造商全称：
Holtek Semiconductor Inc
功能描述：
Call Progress Tone Decoder & ABR Controller

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	HT9020	HT	23+	DIP8	1030	特价库存	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	HT9020	HOLTEK	23+		65480		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HT9020	HOLTEK/合泰	23+	DIP-8	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市益百分电子有限公司	HT9020B	HT	11+	DIP8	1500	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
深圳市弘为电子有限公司	HT9020BHOLTEKPDI	HOLTEK	24+	原厂封装	2940	原装现货假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	HT9020B	HOLTEK	24+	DIP8L	2875		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	HT9020B	HOLTEK	23+	DIP8	8000	原装正品,假一罚十	询价
上海意淼电子科技有限公司	HT9020B	N/A	23+	DIP	6500	全新原装假一赔十	询价
深圳兆威电子有限公司	HT9020B	HOLTEK	23+	DIP8	715	原装现货假一赔十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	HT9020B	Holtek/合泰	1948+	DIP8	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价

更多HT9020供应商更新时间2025-5-19 16:12:00

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