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BAS170WS-V	文件：59.33 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-V	文件：84.26 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS170WS-V	文件：126.36 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiode Features •Schottkydiodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAV170	文件：96.26 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltPOWER250mWatt FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:SOT-23p	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170	文件：349.46 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：62.85 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagedoublediode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV170	文件：454.38 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray SiliconLowLeakageDiodeArray •Low-leakageapplications •Mediumspeedswitchingtimes •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAV170	文件：44.28 Kbytes Page：2 Pages	IntroducingVeryLowLeakageSOT-23Diodes: Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes1and2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：98.24 Kbytes Page：4 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray(LowleakageapplicationsMediumspeedswitchingtimesCommoncathode) ●Lowleakageapplications ●Mediumspeedswitchingtimes ●Commoncathode	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BAV170	文件：53.29 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagedoublediode DESCRIPTION Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23plasticSMDpackage.Thediodesareincommoncathodeconfiguration. FEATURES •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8µs •Continuousreversevoltage:max.75V •Repetitiv	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAV170	文件：183.57 Kbytes Page：3 Pages	250mWLowLeakageDiode85Volts Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAV170	文件：142.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170	文件：3.27233 Mbytes Page：3 Pages	Low-leakageDoubleDiode FEATURES ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8µs ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BAV170	文件：106.06 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAPCapable(Note	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：73.9 Kbytes Page：6 Pages	SiliconLowLeakageDiodeArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAV170	文件：111.86 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：39.61 Kbytes Page：2 Pages	Low-leakagedoublediode Features ●PlasticSMDpackage ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8s ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAV170	文件：188.99 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode FEATURES ●PlasticSMDpackage ●Lowleakagecurrent:typ.3pA ●Switchingtime:typ.0.8us ●Continuousreversevoltage:max.75V ●Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ●Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA APPLICATIONS ●Low-leakagecurrentapplicationsinsurfacemountedci	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：194.85 Kbytes Page：4 Pages	ThreeTerminalsSMDLowLeakageSwitchingDiode	TAITRON TAITRON	TAITRON
BAV170	文件：869.8 Kbytes Page：1 Pages	LowLeakageCurrent SwitchingDiode FEATURES ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed APPLICATION ●Low-leakageCurrentApplicationsinSurfaceMountedCircuits	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
HSMY-C170
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
颜色：
黄色
配置：
标准
透镜颜色：
白色
透镜透明度：
散射
毫烛光等级：
8mcd
透镜样式：
矩形，带平顶
透镜尺寸：
1.40mm x 1.25mm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.1V
电流 - 测试：
20mA
视角：
170°
安装类型：
表面贴装型
波长 - 主：
586nm
波长 - 峰值：
589nm
封装/外壳：
0805（2012 公制）
供应商器件封装：
片式 LED
大小 / 尺寸：
2.00mm 长 x 1.25mm 宽
高度（最大值）：
0.80mm
描述：
LED YELLOW DIFFUSED CHIP SMD

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