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IRFF320	文件：325.4 Kbytes Page：7 Pages	2.5A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 2.5A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsa	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF320	文件：135.25 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET®TRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-state	IRF International Rectifier	IRF
IRFR320	文件：55.73 Kbytes Page：7 Pages	3.1A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR320	文件：1.55974 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR320	文件：177.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.8ohm,Id=3.1A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surfacemount(IRFR320) •Str	IRF International Rectifier	IRF
IRFR320	文件：332.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR320	文件：4.07629 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR320	文件：1.28083 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRFR320	文件：827.67 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR320,SiHFR320) •Straightlead(IRFU320,SiHFU320) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?999	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR320A	文件：321.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
HSMR-C320
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
颜色：
蓝色
配置：
标准
毫烛光等级：
653mcd
透镜样式：
圆形，带圆顶
透镜尺寸：
0.70mm 直径
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
3V
电流 - 测试：
20mA
视角：
50°
安装类型：
表面贴装型
波长 - 主：
473nm
波长 - 峰值：
469nm
封装/外壳：
0603（1608 公制）
供应商器件封装：
0603
大小 / 尺寸：
1.60mm 长 x 0.80mm 宽
高度（最大值）：
1.08mm
描述：
CHIP,TOP MT,INGAN, BLUE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	HSMR-C320	BROADCOM/AVAGO	21+	SMDSMT	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市灿芯升电子科技有限公司	HSMR-C320	Broadcom Limited	17+18+22+	0603(1608 公制)	25480	原装+实力库存+当天发货	询价
富凯科技(深圳）有限公司	HSMR-C320	Broadcom Limited	24+	0603(1608 公制)	6000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	HSMR-C380		24+	N/A	65000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市云美电子科技有限公司	HSMR-C380	AVAGO/安华高	24+	SMDLED	36000	只做全新原装进口现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	HSMR-CL25	AVAGO	20+	LED	83000	LED原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HSMR-CL25	AVAGO/安华高	23+	SMD0603	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	HSMR-CL25	AVAGO		ROHS	8560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳庞田科技有限公司	HSMR-CL25	Avago	2023+环保现货	SMD	480000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HSMR-CL25	AVAGO/安华高	24+	NA/	8000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

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