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IRF230	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF230	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF230	文件：22.27 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF230	文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-204AA/AE) 200Volt,0.40ΩHEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishadvantag	IRF International Rectifier	IRF
IRF230	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF230	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF230	文件：65.75 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF230	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFE230	文件：17.34 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE230	文件：201.36 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) PartNumberBVDSSRDS(on)ID IRFE230200V0.40Ω5.5A Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignerst	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
HSMR-C230
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
颜色：
蓝色
配置：
标准
透镜样式：
矩形，带平顶
透镜尺寸：
1.00mm x 0.30mm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.85V
电流 - 测试：
5mA
视角：
175°
安装类型：
表面贴装型
波长 - 主：
468nm
波长 - 峰值：
464nm
封装/外壳：
0402（1005 公制）
供应商器件封装：
片式 LED
大小 / 尺寸：
1.00mm 长 x 0.55mm 宽
高度（最大值）：
0.40mm
描述：
LED BLUE CHIP SMD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市灿芯升电子科技有限公司	HSMR-C230	Broadcom Limited	17+18+22+	0402(1005 公制)	25480	原装+实力库存+当天发货	询价
富凯科技(深圳）有限公司	HSMR-C230	Broadcom Limited	24+	0402(1005 公制)	6000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
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