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IRF130	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF130	文件：56.56 Kbytes Page：7 Pages	14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 14A,100V,0.160Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsar	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF130	文件：147.29 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=100V,Rds(on)=0.18ohm,Id=14A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superior	IRF International Rectifier	IRF
IRF130	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF130	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications DESCRIPTION •DrainCurrentID=14A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max) •HighPower,HighSpeedApplications APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •UPS •Motorcontrols •Highenergypulsecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF130	文件：106.79 Kbytes Page：3 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS Features: •RepetitiveAvalancheRatings •Dynamicdv/dtRating •HermeticallySealed •SimpleDriveRequirements •EaseofParalleling	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF130	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF130SMD	文件：22.69 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE130	文件：17.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFE130	文件：201.42 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
HSML-C130
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
带盒（TB）
颜色：
橙色
配置：
标准
透镜颜色：
白色
透镜透明度：
散射
毫烛光等级：
139mcd
透镜样式：
矩形，带平顶
透镜尺寸：
1.15mm x 0.80mm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.94V
电流 - 测试：
20mA
视角：
110°
安装类型：
表面贴装型
波长 - 主：
606nm
波长 - 峰值：
612nm
封装/外壳：
0603（1608 公制）
大小 / 尺寸：
1.60mm 长 x 0.80mm 宽
高度（最大值）：
0.35mm
描述：
LED ORANGE DIFFUSED SMD

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