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IRF320	文件：137.47 Kbytes Page：3 Pages	2.8Aand3.3A,350Vand400V,1.8and2.5Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF320LSPBF	文件：277.34 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFE	IRF International Rectifier	IRF
IRFD320	文件：50.28 Kbytes Page：6 Pages	0.5A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuch	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD320	文件：478.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=1.8ohm,Id=0.49A) VDSS=400V RDS(on)=1.8Ω ID=0.49A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD320	文件：1.16878 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)400 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.8 Qg(Max.)(nC)20 Qgs(nC)3.3 Qgd(nC)11 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD320	文件：415.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD320PBF	文件：937.39 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=400V,RDS(on)=1.8廓,ID=0.49A) VDSS=400V RDS(on)=1.8Ω ID=0.49A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD320PBF	文件：1.16878 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)400 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.8 Qg(Max.)(nC)20 Qgs(nC)3.3 Qgd(nC)11 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE320	文件：236.88 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE320	文件：379.5 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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产品属性

产品编号：
HSMA-C320
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
颜色：
琥珀色
配置：
标准
毫烛光等级：
28.5mcd
透镜样式：
矩形，带平顶
透镜尺寸：
1.00mm x 0.30mm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2V
电流 - 测试：
20mA
视角：
140°
安装类型：
表面贴装，直角
波长 - 主：
589nm
波长 - 峰值：
593nm
封装/外壳：
0402（1005 公制）
供应商器件封装：
片式 LED
大小 / 尺寸：
1.00mm 长 x 0.55mm 宽
高度（最大值）：
0.40mm
描述：
CHIP,TOP MT,ALINGAP,AMB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	HSMA-C320	BROADCOM/AVAGO	21+	SMDSMT	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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