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MUR20010CTR

SuperFastRecoveryDiode,200A

Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR20010CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURT20010R

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

产品属性

  • 产品编号:

    HSC20010RJ

  • 制造商:

    TE Connectivity Passive Product

  • 类别:

    电阻器 > 底座安装电阻器

  • 系列:

    HS, CGS

  • 包装:

    托盘

  • 容差:

    ±5%

  • 功率 (W):

    200W

  • 成分:

    绕线

  • 温度系数:

    ±50ppm/°C

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C

  • 涂层,外壳类型:

  • 安装特性:

    法兰

  • 大小 / 尺寸:

    3.543" 长 x 2.874" 宽(90.00mm x 73.00mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    1.654"(42.00mm)

  • 引线样式:

    端子螺钉类型

  • 封装/外壳:

    轴向,盒

  • 描述:

    RES CHAS MNT 10 OHM 5% 200W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TE
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
询价
TE Connectivity
2402+
NA
6680
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货
询价
MICROCHIP/微芯
23+
SOP28
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
MICROCHIP
12+
SOP28
398
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
MICROCHIP
23+
SOP28
398
正规渠道,只有原装!
询价
MICROCHIP
23+
SOP28
10000
公司只做原装,可来电咨询
询价
ADI
23+
SOP28
8000
专注配单,只做原装进口现货
询价
ADI
23+
SOP28
8000
只做原装现货
询价
ADI
23+
SOP28
7000
询价
MICROCHIP
24+
SOP28
10000
公司只有原装
询价
更多HSC20010RJ供应商 更新时间2025-7-28 9:30:00