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MMAJ-20010MY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MTP20010	文件：660.89 Kbytes Page：3 Pages	Three-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MTP20010D	文件：641.08 Kbytes Page：3 Pages	Three-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MUR20010CT	文件：135.46 Kbytes Page：3 Pages	200AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR20010CT	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20010CT	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20010CT	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CT	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CTR	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CTR	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI

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产品属性

产品编号：
HSC20010RJ
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 底座安装电阻器
系列：
HS, CGS
包装：
托盘
容差：
±5%
功率 (W)：
200W
成分：
绕线
温度系数：
±50ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 200°C
涂层，外壳类型：
铝
安装特性：
法兰
大小 / 尺寸：
3.543" 长 x 2.874" 宽（90.00mm x 73.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.654"（42.00mm）
引线样式：
端子螺钉类型
封装/外壳：
轴向，盒
描述：
RES CHAS MNT 10 OHM 5% 200W

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