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MUR10020CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10020CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CT	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10020CTR	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10020CTR	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10020CTR	文件：693.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF10020	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURF10020R	文件：342.23 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10020	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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产品属性

产品编号：
HSC10020RF
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 底座安装电阻器
系列：
HS, CGS
包装：
托盘
容差：
±1%
功率 (W)：
100W
成分：
绕线
温度系数：
±50ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 200°C
涂层，外壳类型：
铝
安装特性：
法兰
大小 / 尺寸：
2.579" 长 x 1.870" 宽（65.50mm x 47.50mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.024"（26.00mm）
引线样式：
焊片
封装/外壳：
轴向，盒
描述：
RES CHAS MNT 20 OHM 1% 100W

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