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MAZ2150	文件：76.51 Kbytes Page：6 Pages	Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Highreliability,achievedbythecombinationtheplanartypeandtheglassseal •Largepowerdissipation:PD=1W •Widevoltagerange:VZ=5.1Vto56.0V •Easy-to-usebecauseofthefinelydividedzenervoltageranks,suchasA	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ2150	文件：200.62 Kbytes Page：6 Pages	Siliconplanartype	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MBR2150	文件：55.95 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltCURRENT2Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling, andpolarityprotectionapplications.	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR2150	文件：400.12 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
MBR2150	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	2.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR2150	文件：4.55447 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS 40V-200V2.0A FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,fr	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBR2150	文件：263.04 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR2150CT	文件：881.18 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
MBR2150F	文件：476.37 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT2.0A DESCRIPTION The MBR220FMBR2200Fareavailablein SOD123FLpackage FEATURES ⚫Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction ⚫Forsurfacemountedapplications ⚫Lowpowerloss,highefficiency ⚫Highforwardsurgecurrentcapability ⚫Foruseinlowvoltage,highfreque	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR2150F	文件：476.37 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE20VTO200VFORWARDCURRENT2.0A DESCRIPTION The MBR220FMBR2200Fareavailablein SOD123FLpackage FEATURES ⚫Metalsiliconjunction,majoritycarrier conduction ⚫Forsurfacemountedapplications ⚫Lowpowerloss,highefficiency ⚫Highforwardsurgecurrentcapability ⚫Foruseinlowvoltage,highfrequency	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

详细参数

型号：
HSC-DAC-MSDPDX2150
制造商：
Analog Devices
功能描述：
EVAL BOARD - Boxed Product(Development Kits)

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更多HSC-DAC-MSDPDX2150供应商更新时间2025-7-24 17:18:00

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