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HS8MA2中文资料30V 双 共漏极 Pch+Nch 功率MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

HS8MA2

功能描述

30V 双 共漏极 Pch+Nch 功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-10-2 22:59:00

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HS8MA2规格书详情

描述 Description

HS8MA2在紧凑而且对称的DFN封装中内置共漏极的30V Pch+Nch MOSFET。适合开关、电机驱动电路用途。

特性 Features

• Low on - resistance
• Small Surface Mount Package
• Pb-free plating RoHS compliant
• Halogen Free

技术参数

  • 制造商编号

    :HS8MA2

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :HSML3333L9 (Drain Common Dual)

  • 包装数量

    :1000

  • 最小独立包装数量

    :1000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :DFN3333-9DC

  • Number of terminal

    :9

  • Polarity

    :Pch+Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :7

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.04

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.025

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.04

  • Total gate charge Qg[nC]

    :4.7

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :4

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :3.3x3.3 (t=0.8)

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