HS8MA2中文资料30V 双 共漏极 Pch+Nch 功率MOSFET数据手册ROHM规格书
HS8MA2规格书详情
描述 Description
HS8MA2在紧凑而且对称的DFN封装中内置共漏极的30V Pch+Nch MOSFET。适合开关、电机驱动电路用途。
特性 Features
• Low on - resistance
• Small Surface Mount Package
• Pb-free plating RoHS compliant
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
:HS8MA2
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:HSML3333L9 (Drain Common Dual)
- 包装数量
:1000
- 最小独立包装数量
:1000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:DFN3333-9DC
- Number of terminal
:9
- Polarity
:Pch+Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:30
- Drain Current ID[A]
:7
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
:0.04
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
:0.025
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.04
- Total gate charge Qg[nC]
:4.7
- Power Dissipation (PD)[W]
:4
- Drive Voltage[V]
:4.5
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:3.3x3.3 (t=0.8)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
DFN33339DC |
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5 |
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