HS1ML中文资料75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier数据手册TSC规格书
| 厂商型号 |
HS1ML |
| 参数属性 | HS1ML 封装/外壳为DO-219AB；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1A SUB SMA |
| 功能描述 | 75ns, 1A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
| 封装外壳 | DO-219AB |
| 制造商 | TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
| 中文名称 | 台湾半导体 台湾半导体股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 18:50:00 |
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HS1ML规格书详情
简介
HS1ML属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由TSC制造生产的HS1ML二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：HS1ML
- 生产厂家
：TSC
- trr (ns)
：75
- VRRM (V)
：1000
- IF(AV) (A)
：1
- IFSM (A)
：30
- Technology
：GPP
- IR (µA)
：5
- VF (V)
：1.7
- Status
：NRND
- Replacement
：HS1MLW
- AEC-Q
：No
- TJ Max. (°C)
：150
- Family
：High Efficient
- MSL
：1
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