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HS1JL数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

HS1JL

参数属性

HS1JL 封装/外壳为DO-219AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

功能描述

75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier

封装外壳

DO-219AB

制造商

TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd

中文名称

台湾半导体 台湾半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HS1JL

  • 生产厂家

    :TSC

  • trr (ns)

    :75

  • VRRM (V)

    :600

  • IF(AV) (A)

    :1

  • IFSM (A)

    :30

  • Technology

    :GPP

  • IR (µA)

    :5

  • VF (V)

    :1.7

  • Status

    :NRND

  • Replacement

    :HS1JLW

  • AEC-Q

    :No

  • TJ Max. (°C)

    :150

  • Family

    :High Efficient

  • MSL

    :1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Taiwan Semiconductor Corporati
25+
Sub SMA
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TSC
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