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HRF3205S	文件：191.09 Kbytes Page：9 Pages	100A,55V,0.008Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HRF3205S	文件：82.73 Kbytes Page：8 Pages	100A,55V,0.008Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IIRF3205	文件：338.88 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRF3205Z	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3205	文件：160.74 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? VDSS=55V RDS(on)=8.0mΩ ID=110A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205	文件：92.66 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=8.0mohm,Id=110A?? FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe	IRF International Rectifier	IRF
IRF3205	文件：622 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF3205	文件：139.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3205	文件：5.0983 Mbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3205	文件：970.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETTransistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
HRF3205_Q
功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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