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IRFF112	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF112	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRKTF112	文件：141.63 Kbytes Page：8 Pages	FASTTHYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
ISCN112P	文件：286.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCP112P	文件：250.18 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J/SST112	文件：282.56 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEN-CHANNELJFET FEATURES DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXJ/SST111SERIES LOWGATELEAKAGECURRENT5pA FASTSWITCHING4ns	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
J/SST112	文件：45.89 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
J/SST112	文件：58.45 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
J112	文件：110.89 Kbytes Page：4 Pages	JFETChopperTransistor JFETChopperTransistors N−Channel—Depletion Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
J112	文件：110.89 Kbytes Page：4 Pages	JFETChopperTransistor(N-Channel-Depletion) JFETChopperTransistor N–Channel—Depletion	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
HPR112VC
功能描述：
DC/DC转换器 .75W 15V to 5V 150mA Single Output
RoHS：
否
制造商：
Murata
输入电压范围：
3.6 V to 5.5 V
输出端数量：
1 输出电压（通道
1）：
3.3 V 输出电流（通道
1）：
600 mA 输出电压（通道
2）：
输出电流（通道
安装风格：
SMD/SMT

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