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HVA-451	文件：159.99 Kbytes Page：1 Pages	VoltageVariableAttenuator	MINI Mini-Circuits	MINI
HVA-451+	文件：159.99 Kbytes Page：1 Pages	VoltageVariableAttenuator	MINI Mini-Circuits	MINI
HW451	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW451	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
HWS451	文件：126.26 Kbytes Page：2 Pages	GaAsDC-6GHzSP4TSwitch Description TheHWS451isaGaAsPHEMTMMICSP4TswitchoperatingatDC-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS451featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinWiMAXorIEEE802.11a/b/	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IRF451	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF451	文件：48.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF451	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP451	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP451	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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