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HVA-451	文件：159.99 Kbytes Page：1 Pages	VoltageVariableAttenuator	MINI Mini-Circuits	MINI
HVA-451+	文件：159.99 Kbytes Page：1 Pages	VoltageVariableAttenuator	MINI Mini-Circuits	MINI
HW451	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HWS451	文件：126.26 Kbytes Page：2 Pages	GaAsDC-6GHzSP4TSwitch Description TheHWS451isaGaAsPHEMTMMICSP4TswitchoperatingatDC-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS451featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinWiMAXorIEEE802.11a/b/	HWHexawave, Inc 汉威光电股份有限公司	HW
IRF451	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF451	文件：48.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF451	文件：136.22 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP451	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP451	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP451R	文件：170.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS451	文件：265.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCN451P	文件：358.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSMT451N	文件：617.78 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LF451	文件：207.06 Kbytes Page：8 Pages	LF451Wide-BandwidthJFET-InputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LF451CM	文件：207.06 Kbytes Page：8 Pages	LF451Wide-BandwidthJFET-InputOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LGEF451A	文件：2.23891 Mbytes Page：3 Pages	SAWFilter	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
LN451YPP	文件：50.93 Kbytes Page：2 Pages	4.0mmX2.0mmSERIES	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
LN451YPX	文件：30.74 Kbytes Page：1 Pages	SquareType	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
LNG451YBX	文件：50.93 Kbytes Page：2 Pages	4.0mmX2.0mmSERIES	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
LPAUN-451A	文件：111.1 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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更多HPC451C供应商更新时间2024-9-24 10:33:00

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