SCT2630ASTER
更新时间 2025-7-15 10:56:00

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详情芯片 绝对优势,代理直出

SCT2433STER
更新时间 2025-7-15 10:56:00

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详情芯片 全新原装,优势价格,代理直出

HFA80A-F2Y
更新时间 2025-7-15 10:56:00

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详情芯片 优势现货支持实单

MP9943GQ-Z
更新时间 2025-7-15 10:56:00

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详情芯片 优势价格,现货库存

CD4066BM96
更新时间 2025-7-14 17:40:00

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详情芯片 原装现货/实单来谈

MC14066BDR2G
更新时间 2025-7-14 17:40:00

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详情芯片 只做进口原装现货

SP706REN-L/TR
更新时间 2025-7-14 17:34:00

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详情芯片 全新进口原厂原装现货MaxLinear/迈凌

STWD100NYWY3F
更新时间 2025-7-14 16:48:00

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详情芯片 只做进口原装现货!假一赔十!

ISO7241CDWR
更新时间 2025-7-14 16:39:00

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详情芯片 只做原装现货SSCP认证会员

L6599DTR
更新时间 2025-7-14 16:39:00

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NSI8221N1-DSPR
更新时间 2025-7-14 16:31:00

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详情芯片>数字隔离器 通用数字隔离器3750Vrms2通道150Mbps200kV/μs15817287769

NJM2761RB2-TE1
更新时间 2025-7-14 16:31:00

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详情芯片>音乐IC 本公司只做进口原装正品现货,或国外订货7-10天货期。

ISO7241CDWR
更新时间 2025-7-14 16:31:00

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LIS3DHTR
更新时间 2025-7-14 16:21:00

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详情芯片 原装现货价格非常美丽

IRLML6344TRPBF
更新时间 2025-7-14 15:44:00

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详情芯片 参数: 漏源电压(Vdss):30V 25℃时连续漏极电流(Id):5A(Ta),也有资料显示可达6.5A 导通电阻(RdsOn):29毫欧@5A,4.5V,也有资料显示为30mΩ@10V,33mΩ@4.5V 阈值电压(Vgs(th)):最大值1.1V@10μA,通常范围在1.2V至2.2V 栅极电荷(Qg):最大值6.8nC@4.5V 栅源电压(Vgs):最大值±20V

IRF530NPBF
更新时间 2025-7-14 15:44:00

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详情芯片 场效应管(MOSFET)70W100 反向传输电容(Crss):19pF 输入电容(Ciss):920pF@25V 功率耗散(Pd):70W 栅源电压(Vgs):±20V 工作温度范围:-55°C至+175°C主要参数: 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):17A 导通电阻(RdsOn):90mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)):4V@250μA 栅极电

IRF640NPBF
更新时间 2025-7-14 15:22:00

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详情芯片 工作温度范围:-55°C~175°C(TJ)。 产品特点:具有低导通电阻、高开关速度和高耐压等优点,可实现高效的能量转换和传输,能在高频和高压条件下稳定工作。还具备动态dv/dt额定值,完全雪崩额定,易于并联,驱动要求简单等特性。 应用领域:适用于电源开关、电机驱动、照明电路、逆变器、变换器、电源管理等领域。在电动汽车动力系统中,可用作驱动电机的开关元件;也可用于光伏逆变器、UPS(不间断电源

ST16C554DIQ64-F
更新时间 2025-7-14 15:15:00

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详情芯片 只做进口原装现货原盒原标,力挺实单承诺假一罚欢迎询价

IRF8707TRPBF
更新时间 2025-7-14 15:15:00

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详情芯片 公司优势品牌:SMSC半磁半导体/MAXIM美国美信/TI/BB德州仪/器STC宏晶科技/ATMEL爱特梅尔SONIX松翰NXP恩智浦ST意法半导体FTDI/SILICON/ICPLUS/JRC。

PMBT2907A,215
更新时间 2025-7-14 15:04:00

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详情芯片 集电极-基极电压(VCBO):最大为60V。 集电极-发射极电压(VCEO):最大为40V。 发射极-基极电压(VEBO):最大为5V。 最大直流电集电极电流(IC):为600mA。 功率耗散(Pd):250mW。 增益带宽产品(fT):200MHz。 直流电流增益(hFE):通常在100-300之间。 集电极—射极饱和电压(VCE(sat)):典型值为0.4V