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HO-P-1111	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	Current Transducer 文件：1.33861 Mbytes 页数：15 Pages	LEM 莱姆	LEM
IFSC-1111AB	文件：244.54 Kbytes Page：2 Pages	SMD Magnetics Packaging Methods 文件：244.54 Kbytes 页数：2 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IFSC-1111AZ	文件：244.54 Kbytes Page：2 Pages	SMD Magnetics Packaging Methods 文件：244.54 Kbytes 页数：2 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR1111	文件：112.95 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A?? Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：112.95 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

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