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HN4C05JU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1 Feature：High current\nPolarity：NPN + NPN\nInternal Connection：Common emitter\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current (Q1) IC 0.4 A \nCollector Current (Q2) IC 0.4 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 12 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 12 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN4C05JU	文件：166.76 Kbytes Page：3 Pages	MULTI CHIP DISCRETE DEVICE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS) 文件：166.76 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
NTMFS4C05N	文件：84.95 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：84.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4C05N	文件：123.39 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 78 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：123.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4C05N	文件：122.54 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N?묬hannel,8FL 文件：122.54 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

型号：
HN4C05JU
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
MULTI CHIP DISCRETE DEVICE(AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)

更多HN4C05JU供应商更新时间2025-12-2 9:04:00