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HN4C05JU	文件：166.76 Kbytes Page：3 Pages	MULTI CHIP DISCRETE DEVICE (AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
NTMFS4C05N	文件：84.95 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTTFS4C05N	文件：122.54 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30V,75A,SingleN?묬hannel,8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTTFS4C05NTWG	文件：122.54 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30V,75A,SingleN?묬hannel,8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD4C05N	文件：299.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD4C05N	文件：65.05 Kbytes Page：3 Pages	SingleN?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
HN4C05JU
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
MULTI CHIP DISCRETE DEVICE(AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)

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