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HN4B101J中文资料东芝数据手册PDF规格书

HN4B101J
厂商型号

HN4B101J

功能描述

Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

244.97 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 16:27:00

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HN4B101J规格书详情

MOS Gate Drive Applications

Switching Applications

• Small footprint due to a small and thin package

• High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = −0.12 A)

• Low collector-emitter saturation: PNP VCE (sat) = −0.20 V (max)

: NPN VCE (sat) = 0.17 V (max)

• High-speed switching : PNP tf = 45 ns (typ.)

: NPN tf = 50 ns (typ.)

产品属性

  • 型号:

    HN4B101J

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Transistor Silicon PNP/NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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