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HN4B101J	文件：244.97 Kbytes Page：6 Pages	Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) MOS Gate Drive Applications Switching Applications • Small footprint due to a small and thin package • High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = −0.12 A) • Low collector-emitter saturation: PNP VCE (sat) = −0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 文件：244.97 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN4B101J	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
HN4B101J	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：MOS gate drivers\nPolarity：PNP + NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -1.0 A \nCollector Current (Q2) IC 1.2 A \nCollector Current (Q1) ICP -5.0 A \nCollector Current (Q2) ICP 5.0 A \nCollector power dissipation (Q1/Q2) (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 0.55 W \nCollector-Base Voltage (Q1) VCBO -30 V \nCollecto;	Toshiba 东芝	Toshiba
HN58C65P-25	文件：0 bytes Page：0 Pages	HIT DIP-28	HIT 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	HIT
HN8T05BZGKX015R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SKHYNIX BGA	SKHYNIX 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	SKHYNIX

技术参数

Polarity：
PNP + NPN
Internal Connection：
Common emitter
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
-30
IC(Max)(A)：
-1.0
hFE(Min)：
200
hFE(Max)：
500
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.2
VCEO (Q2)(Max)(V)：
30
IC (Q2)(Max)(A)：
1.2
hFE (Q2)(Min)：
200
hFE (Q2)(Max)：
500
VCE(sat) (Q2)(Max)(V)：
0.17
Number of pins：
5
Surface mount package：
Y
Package name：
SMV
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1

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