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EC2C01	文件：725.43 Kbytes Page：1 Pages	5TO6WATTDC-DCCONVERTERS	RSGRSG Electronic Components GmbH RSG电子元件有限公司	RSG
EC2C01C	文件：20.09 Kbytes Page：3 Pages	VCXO&VHFBandVCOApplicationsVaractorDiode SiliconDiffused-JunctionType Features •Highcapacitanceratio.CR(C1.0V/C4.0V)=5.0typ •Ultrasmall-sizedpackage(1008),slimpackage (0.6mm),leadlesspackage.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
HN2C01FE	文件：190.29 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120to400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2C01FU	文件：156.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(AUDIOFREQUENCYGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
HN2C01FU	文件：231.02 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications ●Smallpackage(dualtype) ●Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) ●HighhFE:hFE=120~400 ●ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/(IC=2mA)=0.95(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
MMDF2C01HD	文件：349.09 Kbytes Page：16 Pages	ComplementarySO??,DualPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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