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HN1A02F	文件：127.3 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)AudioFrequencyPowerAmplifierApplications AudioFrequencyPowerAmplifierApplications Switchingapplications ●HighhFE:hFE(1)=120to400 ●LowVCE(sat.):VCE(sat)=−0.2V(max)(IC=−400mA,IB=−8mA) ●SmallPowerMotorDriverApplication.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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更多HN1A02F低压MOS管供应商更新时间2024-6-6 14:00:00

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